「衡中同卷2023压轴题 答案」衡中同卷押题卷二，目前我们已经整理了「衡中同卷2023压轴题 答案」衡中同卷押题卷二的各科答案和试卷，更多衡中同卷请关注本网站。
26.(共14分，除标注外，每空2分】(1)+4(1分)(2)除去太阳能电池板表面的灰尘和油污(1分)】(3)使铝元素形成沉淀而分离(1分，合理即可)A10;+C02+2H20=A1(0H)3↓+HC0(4)过滤、洗涤、干燥(5)2Ag+2CH3S03H+H202=2CH3S03Ag+2H20会产生NO,,污染环境(1分，合理即可)H(6)H:N:H[Si与HF反应，降低Si的产率(合理即可)【命题意图】本题以从废旧太阳能电池板中回收银和多晶硅为背景考查化学工艺流程，具体考查流程分析、元素化合价、加入试剂的目的、工序的作用、化学方程式、电子式、反应条件的控制等，意在考查考生对元素及其化合物基础知识的掌握及综合分析能力。【解析】(1)由甲基磺酸的结构简式可知，硫元素为+4价。(2)“清洗”时加入适量Na,C0,溶液的主要目的为除去太阳能电池板表面的灰尘和油污。(3)经过“工序X”“一系列操作”及“煅烧”，最终得到氧化铝，结合反应物及流程信息可知“工序X”的作用是使铝元素形成沉淀而分离：该工序中发生反应的离子方程式为A102+C02+2H20=Al(0H)3↓+HC03(4)“一系列操作”的目的是从混合溶液中获得纯净的氢氧化铝，具体是指过滤、洗涤、干燥。(5)“氧化浸取”的目的是在酸性条件下用过氧化氢氧化银单质，化学方程式为2Ag+2CHS03H+H202=2CH,S03Ag+2H,0:若用王水代替甲基磺酸和双氧水的混合溶液，会产生NO,污染环境。(6)由题意可知，SiN,与HF溶液反应的化学方程式应为SiN,+4HF+9H203H2SiO3+4NH,F,NH4F为离子化合物，电子式为HH:N:H[润：单质硅也能与HF反应，若该工序中H所选用HF溶液的浓度过大或浸泡时间过长，多晶硅也会被HF腐蚀，导致Si的产率降低。归纳总结工艺流程中原料预处理的目的(1)研磨、粉碎：增大反应物的接触面积，加快反应速率。(2)清洗：除去表面的灰尘、油污等(3)浸取：①水浸：用水溶解，使原料变成离子进入溶液。②酸浸：使可溶于酸的固体进入溶液，不溶物通过过滤除去。③碱浸：使可溶于碱的固体进入溶液，不溶物通过过滤除去，如溶解铝、二氧化硅等。(4)灼烧：改变固体物质的组成和结构，使其可溶于酸、碱或水，或使固体物质在高温下氧化、分解。
20.BCD【命题意图】本题以导体棒切割磁感线为背景，考查电磁感应定律与力学的综合问题，意在考查考生的分析综合能力和推理论证能力。【解析】设某时刻导体棒的速度为，则感应电动势E=B,电路中形成充电电流，导体棒在外力和安培力作用下运动。若通过导体棒的电流为，则导体棒受到的安培力大小F。=B,方向沿导轨向下，设在极短时同4山内导体棒的速度变化量为4，加速度a=岩电容器两端电压的增加量和所带电荷量的增加量分别为AU=△E=Bl△D,△Q=C△U=CB△D,流过导体棒的电流i=9-CBA=CBla,设导轨与水平面的夹角为△t△ta,对导体棒根据牛顿第二定律有F-FA-mgsin a=ma,联立以上各式解得a-,iCBm+CB2Rm+CB'P可见导体棒做初速度为0的匀加速直线运动，通过导体棒的电流为定值，则导体棒受到的安培力为定值，与t成正比，又导体棒两端的电压U=Blt,可知U与t成正比，故A错误，B、C、D正确。
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